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08051J0R9BBT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 08051J0R9BBT
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内容描述: 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 [Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 126 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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典型特征
−10
IRL ,输入回波损耗(分贝)
IRL
−20
V
DS
= 12 VDC,我
DQ
= 85毫安
F = 3.55千兆赫, 8.5 P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.868é−115.15_,
Γ
L
= 0.764é−139.11_
−20
ACPR ( DBC)
−10
−30
−40
−30
−40
−50
−60
0.01
ACPR
−50
−60
档案信息
P
OUT
,输出功率(瓦)
图3. W¯¯ - CDMA ACPR和输入回波
损耗与输出功率
20
17.5
克叔,转换器增益(分贝)
15
V
DS
= 12 VDC,我
DQ
= 85毫安
F = 3.55千兆赫, 8.5 P / A 3GPP W- CDMA
Γ
S
= 0.868é−115.18_,
Γ
L
= 0.764é−139.11_
PAE
40
35
30
G
T
25
20
15
10
5
0
0.01
0.1
P
OUT
,输出功率(瓦)
1
PAE ,功率附加效率( % )
12.5
10
7.5
5
2.5
0
图4.传感器增益和功率附加
效率与输出功率
注意:
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生,而不是从所示的测试电路。
MRFG35005MT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
档案信息
0.1
1