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    08051J0R9BBT 参数 Datasheet PDF下载

    08051J0R9BBT图片预览
    型号： 08051J0R9BBT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 [Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 126 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号08051J0R9BBT的Datasheet PDF文件第9页  
    表4.电气特性
    (T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    饱和漏极电流
    (V
    DS
    = 3.5伏，V
    GS
    = 0伏）
    关闭状态漏泄电流
    (V
    GS
    = - 0.4伏，V
    DS
    = 0伏）
    关机状态下漏电流
    (V
    DS
    = 12伏直流，V
    GS
    = - 2.5伏）
    关态电流
    (V
    DS
    = 28.5伏，V
    GS
    = - 2.5伏）
    栅 - 源切 - 断电压
    (V
    DS
    = 3.5伏，我
    DS
    = 8.7毫安）
    静态栅极电压
    (V
    DS
    = 12 VDC，我
    D
    = 80 mA）的
    功率增益
    (V
    DD
    = 12 VDC，我
    DQ
    = 80 mA时， F = 3.55千兆赫）
    输出功率， 1 dB压缩点
    (V
    DD
    = 12 VDC，我
    DQ
    = 80 mA时， F = 3.55千兆赫）
    漏EF网络效率
    (V
    DD
    = 12 VDC，我
    DQ
    = 80 mA时， P
    OUT
    = 450毫瓦平均，
    F = 3.55千兆赫）
    相邻通道功率比
    (V
    DD
    = 12 VDC， P
    OUT
    = 450 mW的魅力。我
    DQ
    = 80 mA时，
    F = 3.55千兆赫，W - CDMA ， 8.5 P / A @ 0.01 ％的概率，
    64 CH ， 3.84 MCPS ）
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    I
    DSO
    I
    DSX
    V
    GS （ TH）
    V
    GS （ Q）
    G
    ps
    P
    1dB
    h
    D
    民
    —
    —
    —
    —
    - 1.2
    - 1.1
    10
    —
    22
    典型值
    1.7
    ＆ LT ; 1.0
    —
    ＆ LT ; 1.0
    - 0.9
    - 0.8
    11
    4.5
    25
    最大
    —
    100
    600
    9
    - 0.7
    - 0.6
    —
    —
    —
    单位
    ADC
    μAdc
    μAdc
    MADC
    VDC
    VDC
    dB
    W
    %
    档案信息
    ACPR
    —
    - 42
    - 39
    dBc的
    MRFG35005MT1
    2
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司
    档案信息

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