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04023J8R2BBS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 04023J8R2BBS
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内容描述: 异质结双极晶体管技术(的InGaP HBT ) [Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 899 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表4.电气特性
(V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC , 2500兆赫,T
A
= 25 ° C, 50欧姆系统,在飞思卡尔CW应用
电路)
特征
小 - 信号增益( S21 )
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点,两个 - 音频CW
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I
CQ
V
CC
24.5
110
典型值
26
--12
--13
31
40
3.8
124
5
最大
138
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
表5. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD 22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD 22 - A115 )
充电器型号(每JESD 22 - C101 )
2
A
IV
表6.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
1.可靠运行,结点温度不应超过150 ℃。
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
V
BA2
V
CC1
V
CC1
V
BA2
V
CC1
V
CC1
12
V
BA1
V
BIAS
RF
in
1
2
3
4
5
6
北卡罗来纳州北卡罗来纳州PDET
PDET
11
10
9
8
7
RF
OUT
RF
OUT
V
CC2
V
BA1
BIAS
电路
RF
OUT
RF
OUT
V
BIAS
V
CC2
RF
in
图1.功能框图
图2.引脚连接
MMA25312BT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司