飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMA25312B
牧师0 ，二千○一十二分之九
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
高效率/线性放大器
该MMA25312B是一种高效率的InGaP HBT放大器，设计用于
在2400 MHz的ISM应用， WLAN （ 802.11克）的WiMAX （ 802.16e标准）的使用和
无线宽带网状网络。它适合于与应用程序
利用简单的外部匹配频率， 2300年至2700年兆赫
部件用3至5伏的电源。
特点
•
频率： 2300--2700兆赫
•
P1dB为31 dBm的@ 2500 MHz的
•
功率增益：26 dB的2500兆赫
•
OIP3 ： 40 dBm的@ 2500 MHz的
•
有源偏置控制（开 - 片）
•
单3至5伏电源
•
单 - 结束了功率检测器
•
成本 - 效益QFN表面贴装封装
•
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位12毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
表1.典型CW性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
2300
兆赫
26
--14
--11
30
2500
兆赫
26
--12
--13
31
2700
兆赫
24.5
--12
--15
29.8
单位
dB
dB
dB
DBM
MMA25312BT1
2300-
-2700兆赫， 26分贝
31 dBm的
的InGaP HBT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
550
30
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ，T
A
= 25 ℃，50欧姆系统，连续波
应用电路
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度91 ° C，V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC
符号
R
θJC
价值
(3)
92
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MMA25312BT1
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
