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CDR34BX104AKWS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CDR34BX104AKWS
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管 [RF Power LDMOS Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 437 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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Table 4. Electrical Characteristics (T = 25C unless otherwise noted) (continued)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Load Mismatch (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) I = 1500 mA, f = 2140 MHz  
DQ  
VSWR 10:1 at 32 Vdc, 269 W CW Output Power  
(3 dB Input Overdrive from 182 W CW Rated Power)  
No Device Degradation  
Typical Performance (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V = 28 Vdc, I = 1500 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth  
DD  
DQ  
(1)  
P
@ 1 dB Compression Point, CW  
P1dB  
182  
W
out  
AM/PM  
--19.3  
(Maximum value measured at the P3dB compression point across  
the 2110--2170 MHz bandwidth)  
VBW Resonance Point  
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)  
AFT21S230S  
VBW  
MHz  
res  
95  
60  
AFT21S232S  
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ P = 50 W Avg.  
G
0.5  
dB  
out  
F
Gain Variation over Temperature  
G  
0.016  
dB/C  
(--30C to +85C)  
Output Power Variation over Temperature  
(--30C to +85C)  
P1dB  
0.007  
dB/C  
(1)  
1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor, Inc.  
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