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C3225X7R1H225K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: C3225X7R1H225K
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 1270 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — DVB--T (8k OFDM)  
100  
10  
-- 20  
-- 30  
-- 40  
7.61 MHz  
1
-- 50  
4 kHz BW  
4 kHz BW  
-- 60  
-- 70  
-- 80  
-- 90  
0.1  
0.01  
ACPR Measured at 4 MHz Offset  
from Center Frequency  
DVB--T (8k OFDM)  
64 QAM Data Carrier Modulation  
5 Symbols  
DVB--T (8k OFDM)  
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols  
0.001  
--100  
-- 11 0  
0.0001  
0
2
4
6
8
10  
12  
-- 5  
-- 4  
-- 3  
-- 2  
-- 1  
0
1
2
3
4
5
PEAK--TO--AVERAGE (dB)  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 9. Source Peak--to--Average DVB--T (8k OFDM)  
Figure 10. DVB--T (8k OFDM) Spectrum  
40  
-- 5 6  
ACPR  
V
= 50 Vdc, I = 1400 mA  
DQ  
DD  
f = 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)  
64 QAM Data Carrier Modulation  
5 Symbols  
-- 5 8  
35  
η
D
-- 6 0  
-- 6 2  
-- 6 4  
-- 6 6  
-- 6 8  
30  
25  
G
ps  
20  
15  
10  
20  
40  
60  
80  
100  
120 140  
160  
180  
200  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
out  
Figure 11. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Drain  
Efficiency, Power Gain and ACPR versus Output Power  
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
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