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B06T 参数 Datasheet PDF下载

B06T图片预览
型号: B06T
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 19 页 / 1443 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — OFDM
100
10
PROBABILITY (%)
1
(dB)
0.1
0.01
0.001
0.0001
--20
--30
--40
--50
--60
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
--70
--80
--90
--100
--110
0
2
4
6
8
10
12
--5
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
5
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
4 kHz BW
4 kHz BW
7.61 MHz
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
Figure 14. Single-
-Carrier DVB- OFDM
-T
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
25.8
25.6
G
ps
, POWER GAIN (dB)
25.4
25.2
25
24.8
24.6
24.4
24.2
30
1300 mA
V
DD
= 50 Vdc, f = 225 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
100
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
200
I
DQ
= 2600 mA
2300 mA
2000 mA
1800 mA
--56
--58
--60
--62
Figure 15. 8K Mode DVB- OFDM Spectrum
-T
V
DD
= 50 Vdc, f = 225 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
I
DQ
= 1300 mA
--64
--66
--68
20
1800 mA
2000 mA
2300 mA
2600 mA
100
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
200
Figure 16. Single-
-Carrier DVB- OFDM Power
-T
Gain versus Output Power
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
45
40
35
30
25
20
15
30
Figure 17. Single-
-Carrier DVB- OFDM ACPR
-T
versus Output Power
--56
--58
--60
η
D
--62
G
ps
--64
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
25_C
85_C
ACPR
--30_C
25_C
85_C
T
C
= --30_C
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 2600 MHz
f = 225 MHz, 8K Mode OFDM
--66
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
--68
100
400
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 18. Single-
-Carrier DVB- OFDM ACPR Power
-T
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
MRF6VP2600HR6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
7