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B06T 参数 Datasheet PDF下载

B06T图片预览
型号: B06T
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 19 页 / 1443 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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B1
C16
+
C13
C12
C11
C15
L3
L4, R1*
C22
C21
C20
C14
C9
C8
C7
C6
J1
CUT OUT AREA
L2
C10
T1
C18
C17
T2
C4
J2
C19
C1
L1
C2
C3 (on side)
MRF6VP2600H
225 MHz
Rev. 3
*
L4 is wrapped around R1.
Figure 3. MRF6VP2600HR6 Test Circuit Component Layout
MRF6VP2600HR6
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
--
C23
C24
--
C25
--
C5