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ATC100B5R1CT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B5R1CT500XT图片预览
型号: ATC100B5R1CT500XT
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内容描述: RF LDMOS宽带集成功率放大器 [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 22 页 / 1068 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS
29
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
28.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28
27.5
27
26.5
26
1
--1 dB = 28.79 W
0
ACPR
--1
--2
--3
--2 dB = 38.93 W
--3 dB = 52.51 W
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA
I
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 mA, f = 2140 MHz
--4
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
--5
15
30
75
45
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
35
30
25
20
15
90
η
D
45
40
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR (dBc)
ACPR (dBc)
PARC
Figure 9. Output Peak- -Average Ratio
-to-
Compression (PARC) versus Output Power
45
60
0
--10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
--20
--30
--40
--50
--60
G
ps
, POWER GAIN (dB)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA, I
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 mA
f = 2140 MHz, Single--Carrier W--CDMA
25°C 50
40
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
--30°C
85°C
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
35
40
G
ps
T
C
= --30°C
25°C
30
25°C
--30°C 30
85°C
25
20
η
D
15
1
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
ACPR
20
10
0
200
Figure 10. Single-
-Carrier W-
-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
30
25
20
GAIN (dB)
15
10
5
IRL
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 19 dBm
I
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA
I
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 mA
Gain
0
--5
--10
--15
--20
--25
IRL (dB)
0
--30
1650 1750 1850 1950 2050 2150 2250 2350 2450 2550 2650
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 11. Broadband Frequency Response
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
7
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)