欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ATC100B430JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B430JT500XT图片预览
型号: ATC100B430JT500XT
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: RF功率LDMOS晶体管增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 1104 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
 浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第12页浏览型号ATC100B430JT500XT的Datasheet PDF文件第13页  
470-
-860 MHz BROADBAND REFERENCE CIRCUIT
V
DD
= 50 Volts, I
DQ
= 450 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF.
Signal Type
DVB--T (8k OFDM)
P
out
(W)
4.5 Avg.
f
(MHz)
470
650
860
9 Avg.
470
650
860
18 Avg.
470
650
860
V
GG
C11
G
ps
(dB)
21.7
21.5
21.9
21.8
21.6
21.9
21.8
21.6
21.7
η
D
(%)
12.6
11.2
11.6
20.3
17.5
18.5
31.0
26.4
27.6
Output Signal PAR
(dB)
10.1
10.1
9.8
9.9
9.9
9.1
7.9
8.4
7.1
V
DD
IMD Shoulder
(dBc)
--40.1
--43.1
--46.0
--35.9
--40.9
--41.7
--27.8
--37.6
--30.4
R1
C1
C13
C19
C21
C23
C3
R3
C7
C8
C10
C2
C5
R4
C4
C9
R2
C14
Q1
C20
C24
C22
V
GG
C12
MRF6VP3091N
Rev. 1
V
DD
Note: Component numbers C6, C15, C16, C17 and C18 are not used.
Figure 20. MRF6VP3091NR1(NBR1) 470-
-860 MHz Broadband 2″
×
3.6″ Compact Reference
Circuit Component Layout
Figure 21. MRF6VP3091NR1(NBR1) 470-
-860 MHz Broadband 2″
×
3.6″ Compact Reference
Circuit Component Layout — Bottom
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
9