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AFT21S232SR3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AFT21S232SR3
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 559 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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P3dB - TYPICAL LOAD PULL CONTOURS — 2140 MHz
-
--1.5
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
54
--3.5
--4
P
--1.5
51
51.5
52
E
52.5
53
IMAGINARY (Ω)
53.5
--2
--2.5
--3
--3.5
--4
--4.5
52
50
48
1
56
1.5
62
64
E
58
54
60
55
54.5
2.5
3
3.5
P
--4.5
58
2
REAL (Ω)
2.5
3
3.5
1
1.5
2
REAL (Ω)
Figure 15. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)
--1.5
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
--4
--4.5
14.5
14
P
Figure 16. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)
--1.5
17.5
17
E
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
--4
P
16.5
16
15
15.5
--30
--28
--26
--24
--22
--20
E
--18
--16
1
1.5
2
REAL (Ω)
2.5
3
3.5
--4.5
--14
2
REAL (Ω)
2.5
3
3.5
1
1.5
Figure 17. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)
Figure 18. P3dB Load Pull AM/PM Contours (°)
NOTE:
Power Gain
Drain Efficiency
Linearity
Output Power
P
E
= Maximum Output Power
= Maximum Drain Efficiency
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
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