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AFT21S232SR3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AFT21S232SR3
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 15 页 / 559 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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P1dB - TYPICAL LOAD PULL CONTOURS — 2140 MHz
-
--1.5
51.5
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
54
--4
--4.5
0.5
1
1.5
REAL (Ω)
2
2.5
3
P
--1.5
62
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
--4
--4.5
48 50 52
0.5
1
1.5
REAL (Ω)
P
50
52
50.5
51
52.5
E
60
64
E
53
53.5
60
58
54
2
56
2.5
3
Figure 11. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)
--1.5
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
--4
--4.5
17
16.5
16
P
Figure 12. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)
--1.5
19.5
19
E
--2
IMAGINARY (Ω)
--2.5
--3
--3.5
--4
--4.5
18.5
18
17.5
--26
--24
--22
--20
--18
--16
E
--14
--12
--10
P
0.5
1
1.5
REAL (Ω)
2
2.5
3
0.5
1
1.5
REAL (Ω)
2
2.5
3
Figure 13. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)
Figure 14. P1dB Load Pull AM/PM Contours (°)
NOTE:
Power Gain
Drain Efficiency
Linearity
Output Power
P
E
= Maximum Output Power
= Maximum Drain Efficiency
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.