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    1812SMS--27NJLC 参数 Datasheet PDF下载

    1812SMS--27NJLC图片预览
    型号： 1812SMS--27NJLC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 15 页 / 822 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号1812SMS--27NJLC的Datasheet PDF文件第11页  
    Z
    o
    = 2
    Ω
    f = 450 MHz
    Z
    source
    f = 450 MHz
    Z
    load
    V
    DD
    = 50 Vdc, I
    DQ
    = 900 mA, P
    out
    = 300 W CW
    f
    MHz
    450
    Z
    source
    Ω
    0.39 + j1.26
    Z
    load
    Ω
    1.27 + j0.96
    Z
    source
    = Test circuit impedance as measured from
    gate to ground.
    Z
    load
    = Test circuit impedance as measured from
    drain to ground.
    Device
    Under
    Test
    Output
    Matching
    Network
    Input
    Matching
    Network
    Z
    source
    Z
    load
    Figure 14. Series Equivalent Source and Load Impedance
    MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor
    7

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