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    100B102JP500X 参数 Datasheet PDF下载

    100B102JP500X图片预览
    型号： 100B102JP500X
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 [Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 126 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第8页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第9页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第10页浏览型号100B102JP500X的Datasheet PDF文件第11页  
    Table 6. Class AB Common Source S - Parameters at V
    DS
    = 12 Vdc, I
    DQ
    = 85 mA (continued)
    f
    GHz
    2.85
    2.90
    2.95
    3.00
    3.05
    3.10
    3.15
    3.20
    3.25
    3.30
    3.35
    3.40
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    3.50
    3.55
    3.60
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    4.00
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    4.20
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    4.30
    4.35
    4.40
    4.45
    4.50
    4.55
    4.60
    4.65
    4.70
    4.75
    4.80
    4.85
    4.90
    4.95
    5.00
    S
    11
    |S
    11
    |
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    0.893
    0.894
    0.892
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    0.892
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    0.888
    0.890
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    0.887
    0.889
    0.888
    0.887
    0.888
    0.887
    0.887
    0.887
    0.888
    0.888
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    0.885
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    0.874
    0.870
    0.867
    0.866
    ∠φ
    138.63
    137.48
    136.05
    134.72
    133.46
    131.81
    130.31
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    121.40
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    |S
    21
    |
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    1.507
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    1.172
    1.176
    1.172
    1.172
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    1.177
    1.175
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    S
    21
    ∠φ
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    - 20.85
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    0.612
    0.613
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    107.71
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