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100B102JP500X 参数 Datasheet PDF下载

100B102JP500X图片预览
型号: 100B102JP500X
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内容描述: 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 [Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 126 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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PACKAGE DIMENSIONS  
0.146  
3.71  
A
F
0.095  
2.41  
3
0.115  
2.92  
0.115  
2.92  
1
2
R
D
L
B
0.020  
0.51  
4
_
"
0.35 (0.89) X 45  
_
inches  
mm  
5
N
K
10 DRAFT  
_
SOLDER FOOTPRINT  
Q
P
U
INCHES  
MIN  
MILLIMETERS  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
0.265  
0.235  
0.072  
0.150  
0.026  
0.044  
0.070  
0.063  
0.180  
0.285  
0.255  
0.240  
0.008  
0.063  
0.210  
0.012  
0.012  
0.021  
0.010  
0.010  
MIN  
6.48  
5.72  
1.65  
3.30  
0.53  
0.66  
1.27  
1.14  
4.06  
6.93  
6.22  
5.84  
0.00  
1.40  
5.08  
0.15  
0.15  
0.00  
0.00  
0.00  
MAX  
6.73  
5.97  
1.83  
3.81  
0.66  
1.12  
1.78  
1.60  
4.57  
7.24  
6.48  
6.10  
0.20  
1.60  
5.33  
0.31  
0.31  
0.53  
0.25  
0.25  
H
ZONE V  
ZONE W  
C
0.255  
0.225  
0.065  
0.130  
0.021  
0.026  
0.050  
0.045  
0.160  
0.273  
0.245  
0.230  
0.000  
0.055  
0.200  
0.006  
0.006  
E
Y
Y
4
NOTES:  
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES  
PER ASME Y14.5M, 1984.  
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH  
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,  
AND X.  
F
G
H
J
2
1
K
L
STYLE 1:  
PIN 1. DRAIN  
2. GATE  
N
P
3
3. SOURCE  
4. SOURCE  
Q
R
S
S
G
ZONE X  
U
ZONE V 0.000  
ZONE W 0.000  
ZONE X 0.000  
VIEW Y-Y  
CASE 466-03  
ISSUE D  
PLD-1.5  
PLASTIC  
MRFG35005MT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
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