费尔多尼克
固态
绝对最大额定值
(25°C)
1
符号
参数
等级
V
DS
漏源电压
12V
V
GS
栅源电压
-5V
I
DS
漏 - 源电流
2 ×1
DSS
I
G
栅电流
120毫安
P
IN
RF输入功率
1.2 W
T
CH
通道温度
175°C
T
英镑
存储温度-65 / 175℃
3,4
P
T
功耗
6.0W
LP3000/LPV3000
2W功率PHEMT
建议进行连续
操作限制
2
符号
参数
等级
V
DS
漏源电压
8V
V
GS
栅源电压
-1V
I
DS
漏 - 源电流
0.8 ×1
DSS
I
G
栅电流
40毫安
P
IN
RF输入功率
600毫瓦
T
CH
通道温度
150°C
T
英镑
储存温度
-20/50°C
3,4
P
T
功耗
5.0 W
G
XDB
增益压缩
8分贝
注意事项：
超过绝对最大额定值1.工作条件，可能导致器件的永久性损坏。
2.推荐连续工作极限应观察设备的可靠运行。
定义为3。功耗：P
T
≡
(P
DC
+ P
IN
) - P
OUT
其中：P
DC
= DC偏置功率P
OUT
= RF输出功率，并
P
IN
= RF输入功率。
P
T
(W)
4.功耗要降额如下：
5.规格如有变更，恕不另行通知。
6.0
-40毫瓦/°C的
举例1：
V
DS
= 8V ，我
DS
= 535毫安
5.0
P
IN
= P
OUT
= 0 dBm的（静态条件） ：
P
T
= P
DC
= 4.28W
-40毫瓦/°C的
马克斯。连续T
HS
= 25°C
例2 ：
V
DS
= 8V ，我
DS
= 535毫安
P
IN
= 26.5 dBm的P
OUT
= 33.5 dBm的
P
T
= (4.28+0.45) - 2.24 = 2.49W
马克斯。连续T
HS
= 88°C
150 175
25
T
HS
(°C)
操作注意事项：
PHEMT的芯片应贮存在干燥氮气环境中，直到装配。护理应办理期间行使
避免损坏设备。适当的静电放电（ ESD）预防措施应在各个阶段必须遵守
仓储，装卸，组装和测试。这些装置应被视为1A类（ 0-500V ） ，以及进一步的信息
在ESD可在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现的控制措施。
安装说明：
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。阶段的温度应该是280-
290℃ ;在该温度下的最大时间是1分钟。推荐的金属丝键合方法是热压缩楔
0.7或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）金线键合。阶段的温度应该是250-260 ℃。
应用笔记和设计数据：
应用笔记，可以从当地的FSS销售代表，或者直接从工厂。完整的设计
数据，包括S参数，噪声数据，和大信号模型，可在3.5“软盘，或可被下载
从我们的网页。
DSS -027 WG
电话：
(408) 988-1845
互联网：
传真：
(408) 970-9950
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
