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LPV3000 参数 Datasheet PDF下载

LPV3000图片预览
型号: LPV3000
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内容描述: 2W功率PHEMT [2W Power PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 51 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号LPV3000的Datasheet PDF文件第2页  
费尔多尼克
固态
特点
漏极焊盘
(x4)
LP3000/LPV3000
2W功率PHEMT
33.5 dBm的典型功率在18 GHz的
7分贝典型功率增益为18 GHz的
30.5 dBm的电压为3.3V电池电压
低互调失真
45%的功率附加效率为18 GHz的
来源BOND
PAD ( X2 )
门垫
(x4)
DIE SIZE : 28.3 X 16.5密耳( 720× 420
µm)
管芯厚度: 2.6密耳( 65
µm
TYP 。 )
焊垫: 1.9× 2.4密耳( 50× 60
µm
TYP 。 )
说明与应用
该LP3000是一个铝镓砷/铟镓砷( AlGaAs构成/铟镓砷)假晶高电子
迁移率晶体管( PHEMT ) ,利用电子束直写0.25
µm
由3000
µm
肖特基势垒门。该
凹“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。在外延结构和
处理进行了优化,可靠的高功率应用。该LP3000还具有硅
3
N
4
钝化是
可用镀覆源的通孔( LPV 3000)作为用于改善高频性能的选项。其他语言版本
陶瓷带凸缘的包(P100 )和球栅阵列封装。
典型的应用包括商用和军用高性能的功率放大器,其中包括卫星通信上行
变送器, PCS /蜂窝低压高效率输出放大器,以及中程数字无线电发射机。该
LPV 3000 / LP 3000可购于各种等级的,这取决于具体的用户要求。标准手
MIL- STD- 19500 , JANC级筛选后的图案。航天级筛选FSS JANS级也可以。
性能规格(T
A
= 25°C)
符号
I
DSS
P
1dB
G
1dB
η
添加
I
最大
G
M
V
P
I
GSO
BV
GS
BV
GD
Θ
J
参数
饱和漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
在1分贝增益压缩输出功率
f
= 18 GHz的
V
DS
= 8.0V ,我
DS
= 50% I
DSS
( LP 。 LPV )
功率增益为1分贝增益压缩
f
= 18 GHz的
V
DS
= 8.0V ,我
DS
= 50% I
DSS
( LP )
f
= 18 GHz的
V
DS
= 8.0V ,我
DS
= 50% I
DSS
( LPV )
功率附加效率(典型的A类操作)
最大漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= +1V
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
捏-O FF电压
V
DS
= 2V我
DS
= 10毫安
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -5V
栅源击穿电压
I
GS
= 15毫安
栅极 - 漏极击穿电压
I
GD
= 15毫安
热敏电阻
800
典型值
1060
最大
1100
单位
mA
33.0
4.0
6.0
33.5
6.0
7.0
45
1700
900
-1.2
15
-15
-16
20
DBM
dB
dB
%
mA
mS
V
µA
V
V
° C / W
725
-0.25
-12
-12
-2.0
125
DSS -027 WG
电话:
(408) 988-1845
互联网:
传真:
(408) 970-9950