初步
FPD1000V
1W P
OWER P
HEMT
•
推荐工作偏置条件
漏源电压：
从5V至10V
静态电流：
25 ％I
DSS
到55％我
DSS
绝对最大额定值
1
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
2
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
3
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
比较。
2
•
测试条件
-3V < V
GS
< + 0V
0V ＆ LT ; V
DS
< + 8V
对于V
DS
＆ GT ; 2V
正向或反向电流
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
民
最大
12
-3
I
DSS
+20/-20
575
175
单位
V
V
mA
mA
mW
ºC
ºC
W
dB
%
-40
150
7.0
5
80
1
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
T
环境
= 22 ° C除非另有说明
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
注意事项：
•
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
•
热敏电阻率规范假定一个金/锡共晶芯片粘接到镀金的铜散热片或肋骨。
•
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
•
绝对最大功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 7.0W - （ 0.046W / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度高于22°C
例如：对于一个85°C的散热片温度：P
合计
= 7.0W - （ 0.046 ×（ 85 - 22 ） ） = 4.1W
•
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。本产品已通过JESD22 A114进行测试， 1A级（ > 250V ，但< 500V ） ，人
体模型，并以A类， （ < 200V ），使用JESD22 A115 ，机型号。
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用1.0密耳（ 0.025毫米）金线热压楔焊。舞台
温度应为250-260 ℃。
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
4/29/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
•
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
