初步
•
特点（ 1.8千兆赫）
♦
31 dBm的线性输出功率
♦
16分贝功率增益
♦
可用增益为10 GHz的
♦
41 dBm的输出IP3
♦
20dB的最大稳定增益
♦
50％的功率附加效率
♦
10V操作/镀源直通通孔
漏
BOND
PAD （2X）
FPD1000V
1W P
OWER P
HEMT
门
BOND
PAD （2X）
•
说明与应用
DIE SIZE （微米） ： 650 * 800
管芯厚度： 75微米
键合焊盘（微米） ：
>70
x 65
该FPD1000V是一个离散耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，用于功率应用中的L和C波段优化。该
FPD1000V来源包括电镀通孔，并且不需要引线键合的来源。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热敏电阻
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
IM3
PAE
符号
P
1dB
G
1dB
味精
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DS
= 200毫安
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 200毫安
P
OUT
= 19 dBm的（单音级）
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 2.4毫安
I
GS
= 2.4毫安
I
GD
= 2.4毫安
见注下页
0.7
6
20
480
-46
650
1100
720
20
0.9
8
22
22
50
1.4
-44
720
dBc的
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
50
%
20
dB
14.5
16.0
民
30
典型值
31
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.85 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
4/29/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
