FPD10000AF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FPD10000AF
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内容描述：	PACKAGED 10W功率PHEMT [10W PACKAGED POWER PHEMT]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 186 K
品牌：	FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]

初步

FPD10000AF

10W P

包装运输

OWER P

HEMT

•

偏置指南

双偏置（独立的正漏极和栅极负电源）电路推荐

需要调节的负电压电源为耗尽型器件，如

FPD10000AF 。栅极偏置电源应能吸入/源至少为10mA的

电流。所述偏置电路必须正确测序，以确保在控制栅电压

（典型-0.6至-1.0V ）被施加到器件

前

漏极电压，否则大

漏源电流的量将被绘制，从而可能导致不稳定性和自

振荡。

推荐180 - 300毫安偏置点名义上是B类/ AB模式。少量

的射频增益扩大压缩前的发作是正常的运行点，并且

显著的电流驱动多达应该在意料之中。如果一个A类的操作时，用户应

查前一节中给出，以确保可靠的操作的降额的限制。

•

包装外形

（尺寸以毫米为单位 - 毫米）

包装标识代码

例如：

f1ZD

P3F

=费尔多尼克

1ZD =批号和日期代码

P2F =状态，部分代码，部件类型

状态： D =开发P =生产

部分代码表示的模型（例如FPD10000AF ）

部分型号：F =场效应管（ pHEMT制）

改变所有的信息和规格，恕不另行通知。

电话：

+1 408 850-5790

传真：

+1 408 850-5766

http://www.filtronic.co.uk/semis

修改后：

12/07/04

电子邮件：

sales@filcsi.com

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