初步
•
性能（ 1.8千兆赫）
♦
40 dBm的输出功率（P
1dB
)
♦
11分贝功率增益（G
1dB
)
♦
-44 dBc的ACPR WCDMA在30 dBm的输出功率
♦
180 300 mA的典型静态电流（I
DQ
)
♦
55％的功率附加效率
♦
提供评估板
♦
可对网站设计的其他数据
♦
可用增益至3.8GHz
说明与应用
FPD10000AF
10W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
见包
纲要
标识代码
•
该FPD10000AF是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，在L波段功率应用进行优化。高功率flange-
安装包已经被优化的低电寄生和最佳散热。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器，以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
B类操作
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益：•
21
/S
12
P
IN
=为0dBm ， 50Ω系统
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
相邻通道功率比
WCDMA BTS转发（ 64频道）
10.15分贝PK /平均0.001 ％
饱和漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到外壳）
I
DSS
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 3.0 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 3.0 V ;我
DS
= 19毫安
I
GD
= 19毫安
见注下页
30
5.2
3
1.1
35
3.5
A
mA
V
V
° C / W
ACPR
PAE
G
1dB
味精
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 300毫安
V
DS
= 12 V ;我
DQ
= 180毫安
V
DS
= 12 V ;我
DQ
= 300毫安
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
I
RF
（驱动电流） 〜 1.5A
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
信道功率= 30 dBm的
-44
dBc的
10
11
16.5
18.0
55
%
dB
dB
符号
P
1dB
测试条件
V
DS
= 12V ;我
DQ
= 180毫安
民
典型值
40
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
12/07/04
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
