FMA246
初步数据表V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
电源电压
电源电流
RF输入功率
储存温度
总功耗
增益压缩
限制同时结合
4
2,3
S
YMBOL
VDD
国际直拨电话
针
TSTG
P合计
比较。
T
美东时间
C
ONDITIONS
对于任何工作电流
对于VDD < 7V
对于标准的偏置条件
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
2个或更多最大值。范围
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
75 ％的Idss
-8dBm
-40 ° C至150℃
1400mW
5dB
80%
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
3
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.4 - （ 0.004W / ° C）控制x T
支架
其中T
支架
=承运人或散热片上方22 ° C的温度
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个55 ℃的温度载体：P
合计
= 1.4 - （ 0.004 ×（ 55 - 22 ） ） = 1.26W
4
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
5
为了达到最佳的散热晶芯片粘接建议;导电环氧树脂模具高度是可以接受的与
热降额性能有所下降（P
合计
= 550MW ）
6
热电阻： 250 ° C / W的标称值是表示对输入级，这将达到温度
输出级之前的限制。骨料的MMIC热阻约为80℃ / W 。
P
AD
L
AYOUT
:
C
A
P
AD
N
AME
IN
D
ESCRIPTION
P
IN
C
OORDINATES
(µm)
RFIN
大败
104, 836
1962, 822
770, 1522
415/556/696,143
A
B
B
B
C
D-F
VD
漏极电压
第1阶段：源
偏置电阻
第2阶段：源
偏置电阻
第3阶段：源
偏置电阻
ð EFGH I J K L
注意：坐标是从左下方引用
角的模头到接合焊盘开口的中心
G-1
821/962/1102,143
J-升
1234/1374/1513, 143
D
IE
S
IZE
(μm)
1624 x 2050
D
IE
T
HICKNESS
(μm)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(μm)
100
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
μm
)
100 x 100
2
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
