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TIP112 参数 Datasheet PDF下载

TIP112图片预览
型号: TIP112
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内容描述: 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 [Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管开关PC局域网
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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TIP110/111/112
典型特征
2.0
I
B
= 500微安
1.8
I
C
[A] ,集电极电流
I
B
= 450微安
I
B
= 400微安
I
B
50
=3
uA
I
B
= 3
10000
A
00 u
V
CE
= 4V
1.6
1.4
1.2
h
FE
,直流电流增益
I
B
= 2
50微安
1000
I
B
= 200微安
1.0
0.8
0.6
100
I
B
= 150微安
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
10
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
100
1000
I
C
= 500 I
B
F = 0.1 MHz的
10
C
ob
[ pF的] ,电容
100
V
BE
(SAT)
1
10
V
CE
(SAT)
0.1
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
100
I
C
[A] ,集电极电流
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.集电极输出电容
10
80
70
I
C
[A] ,集电极电流
P
C
[W] ,功率耗散
60
5mS
DC
1
1mS
50
40
30
20
提示110
提示111
0.1
1
10
10
提示112
100
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
©2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月