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TIP112 参数 Datasheet PDF下载

TIP112图片预览
型号: TIP112
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内容描述: 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 [Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors]
分类和应用: 晶体电阻器晶体管开关PC局域网
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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TIP110/111/112
TIP110/111/112
整体结构与内置的基线
发射极分流电阻
为了配合TIP115 /一百十七分之一百一十六
高直流电流增益:H
FE
=1000 @ V
CE
= 4V ,我
C
=1A(Min.)
低集电极 - 发射极饱和电压
工业用
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
: TIP110
: TIP111
: TIP112
价值
60
80
100
60
80
100
5
2
4
50
2
50
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
R1
R2
E
B
等效电路
C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压: TIP110
: TIP111
: TIP112
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
集电极耗散(T
a
=25°C)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
集电极 - 发射极电压维持
: TIP110
: TIP111
: TIP112
集电极截止电流
: TIP110
: TIP111
: TIP112
I
CBO
集电极截止电流
: TIP110
: TIP111
: TIP112
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
C
ob
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
V
BE
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
V
CE
= 4V ,我
C
= 2A
I
C
= 2A ,我
B
= 8毫安
V
CE
= 4V ,我
C
= 2A
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
1000
500
2.5
2.8
100
V
V
pF
1
1
1
2
mA
mA
mA
mA
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
2
2
2
mA
mA
mA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
60
80
100
马克斯。
单位
V
V
V
I
首席执行官
©2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月