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    NDT3055L 参数 Datasheet PDF下载

    NDT3055L图片预览
    型号： NDT3055L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 229 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDT3055L的Datasheet PDF文件第8页  
    典型电气特性（续）
    1000
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    10
    I
    D
    = 4A
    8
    V
    DS
    = 10V
    电容（pF）
    30V
    40V
    500
    西塞
    200
    6
    科斯
    100
    50
    4
    CRSS
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V
    0.3
    1
    4
    10
    30
    60
    2
    20
    10
    0.1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    50
    IT
    LIM
    N)
    S（O
    RD
    80
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    10
    0u
    s
    1m
    s
    60
    功率（W）的
    10m
    10
    1s
    10
    s
    DC
    0m
    s
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    =110°C/W
    T
    A
    = 25°C
    s
    40
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 110
    o
    C / W
    T
    A
    = 25°C
    0.2
    0.5
    1
    2
    20
    5
    10
    30
    60 100
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    300
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    单脉冲时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大功率
    耗散。
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    单脉冲
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 110 ° C / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    0.002
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    JA
    (t)
    θ
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    10
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    NDT3055L Rev.A1

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