NDT3055L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDT3055L
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 229 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年8月

NDT3055L

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些逻辑电平N沟道增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这

非常高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻，并提供卓越的

开关性能，并能承受高能量脉冲

在雪崩和减刑模式。这些设备

特别适用于低电压的应用，如

直流电动机的控制和DC / DC转换，其中快

切换，低线的功率损耗，以及电阻

需要瞬变。

特点

4 A， 60 V ř

DS （ ON）

= 0.100

Ω

@ V

= 10 V,

DS （ ON）

= 0.120

Ω

@ V

= 4.5 V.

低驱动要求可直接操作的逻辑

驱动程序。 V

GS （ TH）

< 2V 。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

SuperSOT

-3

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SOT-223

(J23Z)

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

= 25

C除非另有说明

NDT3055L

±20

（注1A ）

单位

栅源电压 - 连续

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.3

1.1

-65到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

*订购选项J23Z的裁剪中心漏极引线。

NDT3055L Rev.A1

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