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    NDS9435A 参数 Datasheet PDF下载

    NDS9435A图片预览
    型号： NDS9435A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 10 页 / 221 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NDS9435A的Datasheet PDF文件第10页  
    典型的电气和热特性
    （续）
    2 .5
    g
    FS
    ，跨导（ SIEMENS ）
    20
    V
    DS
    = -15V
    16
    T J = -55°C
    25°C
    稳态功率耗散（ W）
    1a
    2
    12
    125°C
    8
    1 .5
    1b
    1c
    1
    4.5"x5"的FR-4板
    T
    A
    = 25 C
    静止的空气中
    o
    4
    0
    0
    -5
    -10
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    -15
    -20
    0 .5
    0
    0 .2
    0 .4
    0 .6
    0 .8
    2 O z表示铜M O对加利牛逼ING垫区（中
    2
    )
    1
    图13.跨导变化与漏
    电流和温度
    图14. SO- 8最大稳态电源
    功耗与铜安装垫
    区。
    6
    30
    1a
    10
    LI
    N)
    T
    MI
    I
    D
    ，稳定状态下的漏电流（A）
    0u
    s
    10
    1m
    10
    10
    ms
    s
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    5
    3
    1
    RD
    S（O
    s
    0m
    4
    1b
    1c
    1s
    0.3
    V
    GS
    = -10V
    0.1
    10
    s
    DC
    3
    单脉冲
    R
    θ
    J A
    4.5"x5"的FR-4板
    T
    A
    = 25 C
    静止的空气中
    V
    的s
    = -10V
    o
    =见注释1℃
    0.03
    0.01
    0.1
    T
    A
    = 25°C
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    - V
    DS
    极，漏极 - 源极电压（ V）
    30
    50
    2
    0
    0 .2
    0 .4
    0 .6
    0 .8
    2 O z表示Copper安装垫区（中
    2
    )
    1
    图15.最大稳态漏
    电流对铜安装垫
    区。
    1
    图16.最大安全工作区
    瞬态热阻
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.002
    0.001
    0.0001
    D = 0.5
    0 .2
    0.1
    0 .05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R（T ） ，规范有效
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    JA
    =见注释1℃
    θ
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    JA
    (t)
    θ
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    300
    t
    1
    ，时间（秒）
    图17.瞬态热响应曲线
    .
    注意：
    热特性进行使用笔记1c中描述的条件。瞬态热响应将发生变化
    根据电路板的设计。
    NDS9435A版本B

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