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NDS9435A 参数 Datasheet PDF下载

NDS9435A图片预览
型号: NDS9435A
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内容描述: 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 221 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
1.1
漏源击穿电压
1.08
1.06
1.04
1.02
1
0.98
0.96
0.94
-50
20
I
D
= -250µA
-I
S
,反向漏电流( A)
10
5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1
TJ = 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
-25
0
T
J
25
50
75
100
,结温( ° C)
125
150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.5
图7.击穿电压
随温度的变化
图8.体二极管正向电压的变化
与源电流和
温度
3000
10
,栅源电压(V )
2000
I
D
= -5.3A
8
V
DS
= -10V
-15V
-20V
电容(pF)
1000
ç国际空间站
ç OSS
6
500
300
200
4
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
ç RSS
100
0 .1
-V
30
GS
2
0
0 .3
1
3
10
-V
DS
, DRA IN至源极电压( V)
0
10
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
30
40
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
-V
DD
t
D(上)
V
IN
D
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D(关闭)
90%
t
f
V
GS
R
10%
90%
G
DUT
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W¯¯ IDþ
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDS9435A版本B