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NDS8936图片预览
型号: NDS8936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 331 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的热特性
2.5
稳态功率耗散( W)
I
D
,稳定状态下的漏电流(A)
6
1a
2
总功率为双操作
5
1a
1b
1.5
电源单操作
4
1c
1
1b
1c
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 25
o
C
静止的空气中
3
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5 C
静止的空气中
V
的s
= 1 0 V
o
0.5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.5
图12. SO- 8双PackageMaximum
稳态功耗与
铜垫的安装面积。
图13.最大稳态漏
电流对铜安装垫
区。
50
20
10
I
D
,漏电流( A)
5
S
RD
(O
N)
LIM
IT
10
1m
s
0u
s
10
10
ms
s
1
0.5
0m
1s
V
GS
= 10V
0.1
0.05
10
s
DC
单脉冲
R
θ
J A
=见注释1℃
T
A
= 25°C
0.5
1
2
5
10
30
50
0.01
0.1
0.2
V
DS
,漏源电压(V )
图14.最大安全工作区。
1
0 .5
瞬态热阻
R(T ) ,规范有效
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
0 .0 0 5
0 .0 0 2
0 .0 0 1
0 .0001
R
JA
(吨) = R (t)的R *
JA
θ
θ
R
JA
=见注释1℃
θ
t
1
T
J
- T
t
2
= P * R
JA
(t)
A
θ
占空比D = T
1
/ t
2
0 .001
0 .0 1
0 .1
1
10
100
300
t
1
,时间(秒)
图15.瞬态热响应曲线
.
注意:
热特性进行使用笔记1c中描述的条件。瞬态热响应将发生变化
根据电路板的设计。
NDS8936启摹