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型号: NDS8936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 331 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
1.1
漏源击穿电压
25
I
1.05
D
= 250µA
I
S
,反向漏电流( A)
10
V
GS
=0V
BV
DSS
归一化
1
TJ = 125°C
0.1
1
25°C
-55°C
0.95
0.01
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
2000
1500
10
I
D
= 5.3A
V
GS
,栅源电压(V )
8
V
DS
= 5V
10V
20V
1000
电容(pF)
ç国际空间站
500
ç OSS
6
4
200
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
ç RSS
2
100
0.1
0.2
V
0.5
DS
1
2
5
10
20
30
0
0
5
,漏源极电压( V)
10
15
Q
g
,栅极电荷( NC)
20
25
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
20
g
FS
,跨导( SIEMENS )
V
DS
= 10V
16
TJ = -55°C
25°C
12
125°C
8
4
0
0
5
10
15
20
25
I
D
,漏电流( A)
图11.跨导变化与漏
电流和温度。
NDS8936启摹