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NDC7002N图片预览
型号: NDC7002N
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 259 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
漏源击穿电压
1.16
I
D
= 250µA
I
S
,反向漏电流( A)
1.5
1
0.5
V
GS
= 0V
1.12
1.08
1.04
1
0.96
0.92
0.88
-50
BV
DSS
归一化
TJ = 125°C
0.1
25°C
-55°C
0.01
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
.
100
50
10
V
DS
= 25V
V
GS
,栅源电压(V )
8
I
D
= 0.51A
电容(pF)
ç国际空间站
20
10
6
ç OSS
ç RSS
F = 1 MHz的
4
5
2
2
1
0.1
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0
0.2
V
DS
,漏源极电压( V)
0.4
0.6
0.8
Q
g
,栅极电荷( NC)
1
1.2
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
0.7
V
DS
= 10V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.3
V
GS
TJ = -55°C
25°C
I
D
,漏电流( A)
125°C
0.6
0.9
1.2
,门源电压( V)
1.5
图11.跨导变化与漏
电流和温度。
NDC7002N.SAM