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    NDC7002N 参数 Datasheet PDF下载

    NDC7002N图片预览
    型号： NDC7002N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 10 页 / 259 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDC7002N的Datasheet PDF文件第9页  
    典型电气特性
    1.5
    3
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    1.2
    8.0 7.0
    漏源导通电阻
    6.0
    5.5
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    GS
    = 3.5V
    2.5
    4.0
    4.5
    5.0
    5.0
    0.9
    2
    5.5
    6.0
    7.0
    8.0
    10
    4.5
    0.6
    1.5
    4.0
    0.3
    1
    3.5
    3.0
    0.5
    0
    0.3
    0
    0
    1
    V
    DS
    2
    3
    4
    ，漏源电压（V ）
    5
    0.6
    0.9
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1.2
    1.5
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与门
    电压和漏电流。
    2
    1.8
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    归
    ,
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    -50
    2.5
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 0.51A
    V
    GS
    = 10V
    2
    TJ = 125°C
    1.5
    25°C
    1
    -55°C
    0.5
    0
    0.3
    I
    D
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T，结温（ ° C）
    J
    125
    150
    0.6
    0.9
    ，漏电流（ A）
    1.2
    1.5
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度。
    1.5
    1.2
    25°C
    125°C
    V
    th
    归一化
    门源阈值电压
    V
    DS
    = 10V
    1.2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    T
    J
    = -55°C
    1.1
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 250µA
    0.9
    1
    0.6
    0.9
    0.3
    0.8
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    7
    8
    0.7
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    图5.传输特性。
    图6.门阈值变化与
    温度。
    NDC7002N.SAM

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