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MMBT3906SL_12 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906SL_12图片预览
型号: MMBT3906SL_12
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内容描述: PNP外延硅晶体管 [PNP Epitaxial Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 146 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3906SL - PNP外延硅晶体管
典型性能特性
图1.直流电流增益
T
J
=125 C
o
T
J
=75 C
o
o
图2.集电极 - 发射极饱和电压
1000
Vce=1V
Ic=10*Ib
T
J
=25 C
电流增益
100
T
J
=-25 C
o
集电极 - 发射极电压[毫伏]
T
J
=125 C
T
J
=75 C
o
o
100
T
J
=25 C
T
J
=-25 C
o
o
10
1
10
100
10
100
集电极电流, [马]
集电极电流, [马]
图3.基线射极饱和电压
Ic=10*Ib
T
J
=25 C
1000
o
图4.集电极 - 基漏电流
100
T
J
=-25 C
o
基座集电极漏电流, [ nA的]
基地 - 发射极电压[毫伏]
T
J
=75 C
T
J
=125 C
o
o
T
J
=125 C
10
o
T
J
=75 C
T
J
=25 C
1
10
20
30
o
o
T
J
=-25 C
40
o
100
10
100
集电极电流, [马]
基座集电极维尔电压[ V]的
图5.集电极 - 基电容
基线收藏家Juntion电容,C
ob
[ pF的]
12
300
图6.功率降额
f=1mhz
250
功耗, [毫瓦]
11
200
9
150
8
100
6
50
0
0
5
10
0
25
50
75
100
o
125
150
基线集电极反向电压,V
cb
[V]
环境温度,T
a
[ C]
© 2012仙童半导体公司
MMBT3906SL版本1.1.0
3
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