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MMBT3906SL_12 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906SL_12图片预览
型号: MMBT3906SL_12
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内容描述: PNP外延硅晶体管 [PNP Epitaxial Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 146 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3906SL - PNP外延硅晶体管
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
测试条件
分钟。
-40
40
-5
马克斯。
单位
V
V
V
nA
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
ob
C
ib
t
d
t
r
t
s
t
f
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
V
CE
= -30V, V
EB (O FF )
= -0.3V
V
CE
= 1V ,我
C
= -0.1mA
V
CE
= 1V ,我
C
= -1mA
V
CE
= 1V ,我
C
= -10mA
V
CE
= 1V ,我
C
= -50mA
V
CE
= 1V ,我
C
= -100mA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
基射极饱和电压
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
电流增益带宽积
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= -5V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
输入电容
V
EB
= -0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
延迟时间
V
CC
= -3V ,我
C
= -10mA
I
B1
= - I
B2
= -1mA
上升时间
贮存时间
下降时间
-50
60
80
100
60
30
300
-0.65
250
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
7.0
15
35
35
225
75
*直流项目是由脉冲测试测试:脉冲Width300us ,职务Cycle2 %
© 2012仙童半导体公司
MMBT3906SL版本1.1.0
2
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