电气特性
TA = 25° C除非另有说明
符号
参数
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
c
NF
回复（H
ie
)
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（续）
测试条件
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 300MHz的
分钟。
300
马克斯。
单位
兆赫
8.0
25
150
4.0
60
pF
pF
pS
dB
Ω
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30V, V
EB （O FF ）
= 0.5V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
PN2222A
625
5.0
83.3
200
357
125
*MMBT2222A
350
2.8
**PZT2222A
1,000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
1.6”
×
0.06”.
**装置安装在FR- 4 PCB 36毫米
×
18mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34 IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092短路电流Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
©2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
