PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
E
C
TO-92
EBC
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
B
NPN通用放大器
•本设备是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
•从加工19采购。
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
工作和存储结温范围
价值
40
75
6.0
1.0
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
（ BR ） CEO
BV
（ BR ） CBO
BV
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0, T
a
= 125°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
a
= -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
0.6
35
50
75
35
100
50
40
分钟。
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
马克斯。
单位
V
V
V
nA
µA
µA
µA
µA
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
直流电流增益
基本特征
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
©2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
