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    IRFP150 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP150图片预览
    型号： IRFP150
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 262 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP150的Datasheet PDF文件第7页  
    IRFP150A
    Ο
    N沟道
    功率MOSFET
    电气特性
    (T
    C
    =25
    C
    除非另有规定编）
    符号
    BV
    DSS
    ∆
    BV /
    ∆
    T
    J
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    特征
    漏源击穿电压
    击穿电压温度。 COEFF 。
    栅极阈值电压
    门源泄漏，正向
    门源漏，反
    漏极至源极漏电流
    静态漏源
    导通状态电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）费
    分钟。典型值。马克斯。单位
    100
    --
    2.0
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    0.11
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    28.34
    420
    185
    17
    20
    80
    45
    75
    13.2
    34.8
    --
    --
    4.0
    100
    -100
    10
    100
    0.04
    --
    485
    215
    50
    50
    160
    100
    97
    --
    --
    nC
    ns
    µ
    A
    Ω
    Ω
    pF
    V
    V/
    C
    V
    nA
    Ο
    测试条件
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250
    µ
    A
    I
    D
    =250
    µ
    A
    参见图7
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =250
    µ
    A
    V
    GS
    =20V
    V
    GS
    =-20V
    V
    DS
    =100V
    V
    DS
    =80V,T
    C
    =150
    C
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =21.5A
    V
    DS
    =40V,I
    D
    =21.5A
    4
    O
    4
    O
    Ο
    1750 2270
    V
    GS
    =0V,V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    参见图5
    V
    DD
    =50V,I
    D
    =40A,
    R
    G
    =6.2
    Ω
    见图13
    V
    DS
    =80V,V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =40A
    参见图6 &图12
    4
    5
    OO
    4
    5
    OO
    源极 - 漏极二极管额定值和特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    特征
    连续源电流
    脉冲源电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    1
    O
    4
    O
    分钟。典型值。马克斯。单位
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    135
    0.65
    43
    170
    1.6
    --
    --
    A
    V
    ns
    µ
    C
    测试条件
    积分反向PN二极管
    在MOSFET
    T
    J
    =25
    C
    ,I
    S
    =43A,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =25
    C
    ,I
    F
    =40A
    di
    F
    /dt=100A/
    µ
    s
    4
    O
    Ο
    Ο
    注意事项;
    1
    O
    重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
    2
    O
    L = 0.6mH ，我
    AS
    = 43A ，V
    DD
    = 25V ，R
    G
    =27
    Ω
    ，起始物为
    J
    =25
    oo
    C
    3
    _
    _
    _
    O
    I
    SD
    ＆ LT ;
    40A ， di / dt的
    ＆ LT ;
    470A/
    µ
    S，V
    DD
    ＆ LT ;
    BV
    DSS
    ，起始物为
    J
    =25 C
    _
    s,
    4
    脉冲测试：脉冲宽度= 250
    µ
    占空比
    ＆ LT ;
    2%
    O
    5
    O
    基本上是独立工作温度

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