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IRFP150 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFP150
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内容描述: 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 7 页 / 262 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
175
C
工作温度
低漏电流: 10
µ
A(最大) @ V
DS
= 100V
低ř
DS ( ON)
: 0.032
(典型值)。
Ο
IRFP150A
BV
DSS
= 100 V
R
DS ( ON)
= 0.04
I
D
= 43 A
TO-3P
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流(T
C
=25
C
)
Ο
价值
100
43
30.4
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
Ο
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
Ο
连续漏电流(T
C
=100
C
)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散(T
C
=25
C
)
Ο
170
+
20
_
740
43
19.3
6.5
193
1.28
- 55〜 +175
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8“案件从5秒
Ο
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.78
--
40
Ο
单位
C
/W
版本B
©1999仙童半导体公司