IRF640 ， RF1S640 ， RF1S640SM
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注2 ）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体逆转的p-n
结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
18
72
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 18A ，V
GS
= 0V时， （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 18A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
120
1.3
-
240
2.8
2.0
530
5.6
V
ns
µC
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 3.37mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 18A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有说明
20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
16
12
8
4
0
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
10
Z
θJC
，瞬态
热阻抗（
o
C / W ）
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
0.01
0.001
10
-5
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
1
t
2
t
P
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.最大瞬态热阻抗
©2001仙童半导体公司
IRF640 ， RF1S640 ， RF1S640SM版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
