IRF640 ， RF1S640 ， RF1S640SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF640 ， RF1S640 ， RF1S640SM
200
200
18
11
72
±20
125
1.0
580
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
耗散降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气规格
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注1 ）
门源漏电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
联系方式拧紧Tab键切换到
的模具中心
测量从排水
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V （图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图8,9 ）
V
DS
≥
10V ，我
D
= 11A （图12）
V
DD
= 100V ，我
D
≈
18A ，R
GS
= 9.1Ω, R
L
= 5.4Ω,
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
民
200
2
-
-
18
-
-
6.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.14
10
13
50
46
35
43
8
22
1275
400
100
3.5
最大
-
4
25
250
-
±100
0.18
-
21
77
68
54
64
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
µA
µA
A
nA
Ω
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏极至源极导通电阻（注1 ）
正向跨导（注1 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
GS
= 10V ，我
D
≈
18A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
（图14）的栅极电荷基本上是独立的
操作温度的
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
4.5
-
nH
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
-
G
L
S
S
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
R
θJA
自由空气操作， IRF640
RF1S640SM安装在FR- 4板，带最小
安装垫
-
-
-
-
-
-
1
62
62
o
C / W
o
C / W
o
C / W
©2001仙童半导体公司
IRF640 ， RF1S640 ， RF1S640SM版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
