欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    FQPF7N80C 参数 Datasheet PDF下载

    FQPF7N80C图片预览
    型号： FQPF7N80C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 800V N沟道MOSFET [800V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 849 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第9页  
    FQP7N80C/FQPF7N80C
    典型特征
    （续）
    1.2
    3.0
    2.5
    BV
    DSS
    （范
    alized ）
    漏源击穿电压
    R
    DS （ ON）
    （归一化）
    漏源导通电阻
    1.1
    2.0
    1.0
    1.5
    1.0
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 10 V
    2. I
    D
    = 3.3 A
    0.9
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. I
    D
    = 250
    μ
    A
    0.5
    0.8
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    0.0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    o
    150
    200
    T
    J
    ，结温[C]
    T
    J
    ，结温[C]
    图7.击穿电压变化
    与温度
    图8.导通电阻变化
    与温度
    10
    2
    10
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    2
    10
    µ
    s
    100
    µ
    s
    1毫秒
    10毫秒
    DC
    1
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    10
    µ
    s
    100
    µ
    s
    1毫秒
    10
    1
    10
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    10毫秒
    10
    0
    10
    0
    DC
    10
    -1
    ※
    注意事项：
    1. T
    C
    = 25 C
    o
    2. T
    J
    = 150 C
    3.单脉冲
    o
    10
    -1
    ※
    注意事项：
    1. T
    C
    = 25 C
    2. T
    J
    = 150 C
    3.单脉冲
    o
    o
    10
    -2
    10
    0
    -2
    10
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    图9-1 。最大安全工作区
    对于FQP7N80C
    图9-2 。最大安全工作区
    对于FQPF7N80C
    8
    6
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    4
    2
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度[
    ℃
    ]
    图10.最大漏极电流
    VS外壳温度
    © 2003仙童半导体公司
    版本A ， 2003年4月

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6