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    FQPF7N80C 参数 Datasheet PDF下载

    FQPF7N80C图片预览
    型号： FQPF7N80C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 800V N沟道MOSFET [800V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 849 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FQPF7N80C的Datasheet PDF文件第9页  
    FQP7N80C/FQPF7N80C
    电气特性
    符号
    参数
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，正向
    门体漏电流，反向
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    I
    D
    = 250
    µA,
    参考25 ℃下
    V
    DS
    = 800 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 640 V，T
    C
    = 125°C
    V
    GS
    = 30 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -30 V, V
    DS
    = 0 V
    800
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    0.93
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    10
    100
    100
    -100
    V
    V /°C的
    µA
    µA
    nA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    栅极阈值电压
    静态漏源
    导通电阻
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 3.3 A
    V
    DS
    = 50 V，I
    D
    = 3.3 A
    （注4 ）
    3.0
    --
    --
    --
    1.57
    5.5
    5.0
    1.9
    --
    V
    Ω
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    --
    --
    --
    1290
    120
    10
    1680
    155
    13
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DS
    = 640 V，I
    D
    = 6.6 A,
    V
    GS
    = 10 V
    （注4,5）
    V
    DD
    = 400 V，I
    D
    = 6.6 A,
    R
    G
    = 25
    Ω
    （注4,5）
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    35
    100
    50
    60
    27
    8.2
    11
    80
    210
    110
    130
    35
    --
    --
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    漏源二极管的特性和最大额定值
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    最大连续漏源二极管的正向电流
    最大脉冲漏源二极管的正向电流
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 6.6 A
    漏源二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 6.6 A,
    dI
    F
    / DT = 100 A / μs的
    （注4 ）
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    650
    7.0
    6.6
    26.4
    1.4
    --
    --
    A
    A
    V
    ns
    µC
    注意事项：
    1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
    2， L = 25mH ，我
    AS
    = 6.6A ，V
    DD
    = 50V ，R
    G
    = 25
    Ω,
    起始物为
    J
    = 25°C
    3. I
    SD
    ≤
    图8A ， di / dt的
    ≤
    200A / μs的，V
    DD
    ≤
    BV
    DSS ，
    起始物为
    J
    = 25°C
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    2%
    5.基本上是独立工作温度
    © 2003仙童半导体公司
    版本A ， 2003年4月

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