FQP50N06
典型特征
（续）
1.2
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.5
1.0
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 25 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
3
60
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
50
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
DC
10
1
I
D
，漏电流[ A]
2
10
2
100μ s
40
30
20
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的ê马币一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
※
Ñ OTES ：
1 . Z
θ
J·C
( t ) = 1 . 2 4
℃
/ W M A X 。
2 。 ð ü吨和Y F是C T O服务R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t )
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
-2
P
DM
t
1
t
2
Z
10
θ
JC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W¯¯ AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
© 2003仙童半导体公司
修订版A2 ， 2003年3月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
