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    FQP50N06 参数 Datasheet PDF下载

    FQP50N06图片预览
    型号： FQP50N06
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V N沟道MOSFET [60V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 646 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQP50N06的Datasheet PDF文件第8页  
    FQP50N06
    典型特征
    10
    2
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    GS
    15.0 V
    10.0 V
    8.0 V
    7.0 V
    6.0 V
    5.5 V
    5.0 V
    底部： 4.5 V
    上图：
    10
    2
    10
    1
    175
    ℃
    25
    ℃
    -55
    ℃
    ※
    注意事项：
    1. V
    DS
    = 30V
    2. 250μ s脉冲测试
    10
    0
    ※
    注意：
    1. 250μ s脉冲测试
    2. T
    C
    = 25℃
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图1.区域特征
    图2.传输特性
    0.05
    10
    2
    漏源导通电阻
    0.04
    0.03
    V
    GS
    = 20V
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    [
    Ω
    ],
    0.02
    10
    1
    0.01
    ※
    注：t
    J
    = 25℃
    175℃
    25℃
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. 250μ s脉冲测试
    0.00
    0
    50
    100
    150
    200
    10
    0
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图3.导通电阻变化对比
    漏电流和栅极电压
    图4.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度
    3000
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    C
    RSS
    = C
    gd
    12
    2500
    10
    V
    DS
    = 30V
    V
    DS
    = 48V
    2000
    C
    OSS
    C
    国际空间站
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. F = 1 MHz的
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    8
    电容[ pF的]
    1500
    6
    1000
    4
    C
    RSS
    500
    2
    ※
    注：我
    D
    = 50A
    0
    0
    -1
    10
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    10
    0
    10
    1
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]
    图5.电容特性
    图6.栅极电荷特性
    © 2003仙童半导体公司
    修订版A2 ， 2003年3月

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