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FDV304P 参数 Datasheet PDF下载

FDV304P图片预览
型号: FDV304P
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内容描述: 数字场效应晶体管, P沟道 [Digital FET, P-Channel]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 67 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
-1.5
,漏源电流(A )
-1.6
V
GS
= -4.5V
-3.5
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
-1.25
-1
-0.75
-3.0
-2.7
-2.5
-1.4
V
GS
= -2.0 V
-1.2
-2.5
-2.7
-1
-2.0
-0.5
-0.25
0
-1.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-0.8
I
D
0
-1
-2
-3
-4
-5
-0.6
0
-0.2
-0.4
-0.6
I
D
,漏电流( A)
-0.8
-1
V
DS
,漏源电压(V )
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.6
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
归一化
5
I
D
= -0.25A
1.4
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
25°C
4
V
GS
= -2.7V
125°C
I
D
= -0.5A
1.2
3
1
2
0.8
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
-4.5
-5
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻与变异
栅 - 源电压。
-1
V
DS
= -5V
I
D
,漏电流( A)
-0.75
T
J
= -55°C
25°C
125°C
-I ,反向漏电流( A)
0.5
V
GS
= 0V
0.1
T J = 125°C
25°C
-0.5
0.01
-55°C
-0.25
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
V
GS
,门源电压( V)
-3
S
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流和
温度。
FDV304P Rev.E
1