FDV304P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDV304P
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内容描述：	数字场效应晶体管， P沟道 [Digital FET, P-Channel]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 67 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1997年8月

FDV304P

数字场效应晶体管， P沟道

概述

此P沟道增强型场效应晶体管是

采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS生产

技术。这非常高密度的过程是针对减少

导通电阻低门极驱动条件。该装置是

特别适用于电池供电的应用而设计的应用

诸如笔记本电脑和移动电话。该装置

具有优异的导通状态电阻，即使在栅极驱动电压为

低到2.5伏。

特点

-25 V， -0.46一个连续的， -1.5 A峰值。

DS （ ON）

= 1.1

Ω

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 1.5

Ω

@ V

= -2.7 V.

非常低的水平栅极驱动要求可直接

操作3V电路。 V

GS （ TH）

< 1.5V 。

门源齐纳的ESD耐用性。

>6kV人体模型

紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装

封装。

SOT-23

马克： 304

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

ESD

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

= 25

C除非其他明智的注意

FDV304P

-25

-8

单位

- 连续

- 脉冲

-0.46

-1.5

0.35

-55到150

6.0

最大功率耗散

工作和存储温度范围

静电放电额定值MIL -STD- 883D

人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）

°C

热特性

热阻，结到环境

357

° C / W

FDV304P Rev.E

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