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    FDS8958A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958A图片预览
    型号： FDS8958A
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    内容描述： 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 11 页 / 285 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第10页  
    FDS8958A
    典型特征Q2
    30
    V
    GS
    = -10.0V
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -3.5V
    -7.0V
    -5.0V
    -6.0V
    -4.0V
    2.5
    V
    GS
    = -3.5V
    2
    -4.0V
    -4.5V
    1.5
    -5.0V
    -6.0V
    -7.0V
    1
    -3.0V
    -10.0V
    0.5
    0
    6
    12
    18
    24
    30
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图11.在区域特征。
    图12.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.2
    1.6
    I
    D
    = -5A
    V
    GS
    = -10V
    I
    D
    = -5A
    1.4
    0.15
    1.2
    0.1
    1.0
    0.05
    0.8
    T
    A
    = 125 C
    T
    A
    = 25 C
    o
    o
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    0
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    10
    T
    J
    ，结温（ C）
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图13.导通电阻变化与
    温度。
    30
    V
    DS
    = -10V
    25
    20
    15
    125 C
    10
    5
    0
    1.5
    2.5
    3.5
    4.5
    5.5
    o
    图14.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    T
    A
    = -55 C
    10
    25 C
    1
    o
    o
    V
    GS
    = 0V
    T
    A
    = 125 C
    25 C
    o
    o
    0.1
    -55 C
    o
    0.01
    0.001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图15.传输特性。
    图16.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS8958A版本D（ W）

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