FDS8958A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS8958A
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内容描述：	双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	11 页 / 285 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS8958A

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

∆T

DSS

GSSF

GSSR

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

击穿电压

温度COEF网络cient

零栅压漏

当前

门体泄漏，正向

测试条件

= 0 V，I

= 250

µA

= 0 V，I

= -250

µA

= 250

µA,

参考25 ℃下

= -250 μA ，参考25℃

= 24 V, V

= 0 V

= -24 V, V

= 0 V

= 20 V, V

= 0 V

输入最小值典型值最大值单位

所有

-30

-22

-1

100

-100

毫伏/°C的

µA

开关特性

门体泄漏，反向V

= -20 V, V

= 0 V

（注2 ）

基本特征

GS （ TH）

∆V

GS （ TH）

∆T

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

D（上）

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= 250

µA

= V

, I

= -250 µA

= 250

µA,

参考25 ℃下

= -250 μA ，参考25℃

= 10 V，I

= 7 A

= 10 V，I

= 7 A，T

= 125°C

= 4.5 V，I

= 6 A

= -10 V，I

= -5 A

= -10 V，I

= -5 A，T

= 125°C

= -4.5 V，I

= -4 A

= 10 V, V

= 5 V

= -10 V, V

= -5 V

= 5 V，I

= 7 A

= -5 V，I

=-5 A

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

-1

1.6

-1.7

-4.3

-3

毫伏/°C的

mΩ

-20

789

690

173

306

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容V

= -10 V, V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

FDS8958A版本D（ W）

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