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    FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8960C图片预览
    型号： FDS8960C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道MOSFET PowerTrench㈢ [Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 157 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征： Q2 （P沟道）
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    800
    I
    D
    = -5A
    8
    V
    DS
    = -10V
    -15V
    -20V
    电容（pF）
    700
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    C
    国际空间站
    600
    500
    400
    300
    6
    4
    C
    OSS
    200
    100
    2
    C
    RSS
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图19.栅极电荷特性。
    100
    P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
    图20.电容特性。
    50
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    R
    DS （ ON）
    极限
    10
    10ms
    100ms
    1
    DC
    0.1
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135
    o
    C / W
    T
    A
    = 25 C
    0.01
    0.1
    1
    10
    o
    100
    μ
    s
    1ms
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    30
    1s
    10s
    20
    10
    100
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图21.最大安全工作区。
    图22.单脉冲最大
    功耗。
    10
    我（ AS ） ，雪崩电流（ A）
    30
    我（ PK） ，峰值瞬态电流（A）
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    20
    T
    J
    = 25 C
    o
    10
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    1
    0.01
    0.1
    1
    10
    t
    AV
    ，时间AVANCHE （毫秒）
    图23.单脉冲最大峰值
    当前
    图24.非钳位感应开关
    能力
    FDS8960C冯C1 （ W）
    www.fairchildsemi.com

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