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    FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8960C图片预览
    型号： FDS8960C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道MOSFET PowerTrench㈢ [Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 157 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    电气特性
    符号
    E
    AS
    I
    AS
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源雪崩
    能源（单脉冲）
    漏源雪崩
    当前
    漏源击穿
    电压
    击穿电压
    温度COEF网络cient
    零栅压漏
    当前
    门体泄漏，正向
    测试条件
    V
    DD
    = 35 V,
    I
    D
    7 = A，L = 1毫亨
    输入最小值典型值
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    35
    –35
    31
    –40
    7
    –5
    最大单位
    24.5
    12.5
    mJ
    mJ
    A
    漏源雪崩额定值
    V
    DD
    = -35 V，I
    D
    = -5 A ， L = 1毫亨
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ΔT
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    I
    GSSR
    I
    GSSF
    I
    D
    = 250
    μA
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    = –250
    μA
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    = 250
    μA,
    参考25 ℃下
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    DS
    = 28 V,
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = –28 V,
    V
    GS
    = 20 V,
    V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    V
    毫伏/°C的
    1
    –1
    100
    –100
    100
    –100
    μA
    nA
    nA
    nA
    nA
    门体泄漏，反向V
    GS
    = –20 V,
    门体泄漏，正向V
    GS
    = 25 V,
    门体泄漏，反向V
    GS
    = –25 V,
    （注2 ）
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ΔV
    GS （ TH）
    ΔT
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    g
    FS
    正向跨导
    I
    D
    = 250
    μA
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = –250 µA
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = 250
    μA,
    参考25 ℃下
    I
    D
    = -250 μA ，参考25℃
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 7 A
    I
    D
    = 6 A
    V
    GS
    = 4.5 V,
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 7 A，T
    J
    = 125°C
    I
    D
    = –5 A
    V
    GS
    = –10 V,
    I
    D
    = –4 A
    V
    GS
    = –4.5 V,
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = ± 5 A，T
    J
    = 125°C
    V
    DS
    = 5 V,
    I
    D
    = 7 A
    I
    D
    =–5 A
    V
    DS
    = –5 V,
    Q1
    V
    DS
    = 15 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1.0 MHz的
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    1
    –1
    2
    –1.8
    –5
    4
    20
    25
    29
    44
    70
    61
    23
    9
    570
    540
    126
    113
    52
    60
    2
    6
    3
    –3
    V
    毫伏/°C的
    24
    32
    37
    53
    87
    79
    mΩ
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    输入电容
    输出电容
    Q2
    反向传输电容V
    DS
    = –15 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1.0 MHz的
    栅极电阻
    F = 1.0 MHz的
    pF
    pF
    pF
    Ω
    FDS8960C冯C1 （ W）
    www.fairchildsemi.com

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